안녕하세요.

현재 SiC Trench MOSFET(전력반도체)를 제작하고 있으며, Gate Oxide 신뢰성 평가를 계획하고 있습니다.
이에 TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown) 시험 평가 관련하여 문의드립니다.

1. 단위 공정 : Trench 및 Gate Oxide 형성 후 Poly-Si 를 증착 상태 (MOS-Cap 형태)
2. Full Process : Contact 및 Metal 공정까지 완료한 Trench MOSFET 소자

- 위 2가지 형태의 시편에 대해 각각 TDDB 평가(및 라이프타임 추정)가 가능한지 여부
- TDDB 평가를 위해 필요한 최소 공정 조건 및 시편 구조 (최소 Pad Size, Pin 요구 조건 등)
- 단위공정 시편의 경우: Poly Pad 패터닝 및 Backside Contact 형성이 필수적으로 요구되는지 여부
- 대략적인 시험 비용(견적) 및 진행 가능 일정 검토 후 회신 부탁드립니다.

검토 후 회신 부탁드립니다.

감사합니다.

안녕하세요.

신뢰성연구센터의 한송희입니다. (hsh@keti.re.kr)

 

 

시험 담당자가 검토하여 메일로 회신드릴 예정입니다.

-이영빈책임(031-789-7289, ybin.lee@keti.re.kr)

 

감사합니다.