본문내용 바로가기


사업화 대상기술

  • pdf다운
  • 인쇄하기

기술명 : 실리콘 나노와이어 마이크로폰 제조 기술

기술문의
  • Key-word(국문)실리콘 나노와이어 | 압저항 효과 | 고감도 | 마이크로폰 | 다이아프램 | 정보통신 | 가전 | 전자기기 | 음향 | 방송 | 엔터테인먼트
  • Key-word(영문)silicon nanowire | piezoresistive effect | high sensitivity | microphone | diaphragm

기술의 개요

  • 배경


    정보통신이 발달할수록 이와 함께 가전이나 엔터테인먼트, 방송 등의 분야에서 고감도 고품질의 음향 기술에 

    대한 요구가 커지는 추세인데, 이를 위하여 마이크로폰의 고성능화 소형화를 위한 제조기술의 개발이 필요함

  • 개요


    MEMS 공정에 기반을 둔 top-down 방식의 실리콘 나노와이어 어레이 제조공정을 바탕으로, 음압에 따른 

    다이아프램(diaphragm)의 진동에 의한 기계적인 스트레스에 기인한 실리콘 나노와이어의 압저항 효과에 따라 

    저항 변화가 유도되는 구조 설계를 통해 고감도의 압저항형 마이크로폰을 제조하는 기술임

기술의 구현수준(TRL)

4단계

기술의 장점(경쟁기술과의 차별성)

○ 고감도(High Sensitivity) 마이크로폰 구현

    - 나노 크기의 실리콘 나노와이어를 압저항 소자로 이용하기 때문에 종래의 벌크형 압저항 소자를 이용하는 마이크로폰보다 압저항 계수(πl)가 

      월등히 커서 음압에 의한 저항 변화를 훨씬 크게 고감도로 인지함


○ 간단한 제조 공정

    - MEMS 공정에 의한 실리콘 나노와이어 어레이 제작

    - 정전용량형 마이크로폰에 비해 희생층 공정이 필요 없어 제조 공정이 간단함 (마스크 수 : 5)

    - CMOS 공정을 접목하여 신호처리회로가 내장된 one-chip 마이크로폰 구현 가능

활용범위 및 응용분야

  ○ 정보통신, 가전, 전자기기, 음향, 방송, 엔터테인먼트 분야

지식재산권 현황

지식재산권 현황 리스트
구분 발명의 명칭 출원번호 (출원일) 등록번호 (등록일)
특허 나노와이어를 이용한 압저항 방식의 마이크로폰 및 그 제조 방법 10-2009-0129480 (2009.12.23) 10-1040090 (2011.06.02)
특허 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 및 그 제조 방법 10-2012-0058443 (2009.12.23) 10-1388141 (2014.04.16)
특허 나노와이어 소자 제조 방법 10-2005-0088325 (2005.09.22) 10-0740531 (2007.07.11.)
목록